TMR传感器是一种具有划时代意义的磁电阻效应传感器，近些年在工业上得到了广泛应用。相比于AMR传感器和GMR传感器，TMR传感器不但拥有更大的电阻变化率，还具备成本及功耗低，响应频率和灵敏度高等特点。

什么是隧穿磁电阻效应？

        由两层铁磁薄膜和中间绝缘层所组成的三明治结构被称为磁性隧道结。当两个铁磁层的磁矩相对取向发生改变时，磁性隧道结的隧穿电阻将发生改变，这种现象就被称为隧穿磁电阻效应。TMR元件与GMR元件具有基本一致的结构，但两者的电流分别垂直和平行于膜面流过。

钉扎层具有固定的磁化方向，自由层的磁化方向则会根据外加磁场方向发生变化，TMR元件的电阻也随之改变。当自由层的磁化方向平行于钉扎层的磁化方向时，TMR元件具有最小的电阻值，经过势垒的电流高。相反，当磁化方向反平行时，电阻显著上升，经过势垒的电流低。

从量子力学角度讲，当两层铁磁层的磁化方向相互平行时，多数自旋子带的电子会进入另一磁性层中的多数自旋子带的空态，少数自旋子带的电子也将进入另一磁性层中少数自旋子带的空态，总的隧穿电流更大，器件呈低阻态。当两层铁磁层的磁化方向呈反平行时，多数自旋子带的电子会进入另一磁性层中少数自旋子带的空态，而少数自旋子带的电子进入另一磁性层中多数自旋子带的空态，总的隧穿电流更小，器件呈高阻态。

关于TMR传感器磁体

胜德可结合有限元分析工具、客户使用场景及对于TMR传感器磁体磁场要求，为客户提供可靠且经济的TMR传感器磁体解决方案。